大家好，关于二极管工作原理很多朋友都还不太明白，今天小编就来为大家分享关于简述MOS管的工作原理的知识，希望对各位有所帮助！

普通二极管在反向电压下作用时处于截至状态，只能通过微弱的反向电流，光电二极管在设计和制作时尽量使PN结的面积相对较大，以便接收入射光。光电二极管是在反向电压下巩工作的，没有光照时，反向电流及其微弱，叫暗电流，有光照时，反向电流增大到几十微安，称为光电流。光的强度越大，反向电流越大。

管子关键电气参数：1.最高反向工作电压；管子工作时的极限电压；2.暗电流，没有光照的条件下，通过管子的反向电流；3.光电流，4.灵敏度；5.结电容，6，正向压降，7.响应度，8.噪声等级，9.频率响应特性；

光电二极管常常和发光器件(通常是发光二极管)被合并在一起组成一个模块，这个模块称为光电耦合元件。这样就能通过分析接收的光照的情况来分析外部机械运动情况。光电二极管的另外一个作用是在模拟和数字电路之间充当介质，这样可以提高电路的安全性。

光电二极管的检测方法：1.电阻测量法，用万用表1k档，光电二极管正向电阻约10mohm,在无光照的条件下，反向电阻为∞时，这管子时好的（反向电阻不是∞时说明漏电流大），有光照时，反向电阻随光照的强度增大而减小，阻止可以达到kΩ左右，则管子是好的，若反向电阻都是∞或为0,则管子是坏的。2，电压测量法。用万用表1V档。用红笔接光电二极管“+”，黑接“-”.在光照下，其电压与光强度成反比，一般可达到0.2~0.4V;

1光检测电路的基本组成和工作原理设计一个精密的光检测电路最常用的方法是将一个光电二极管跨接在一个CMOS输入放大器的输入端和反馈环路的电阻之间。这种方式的单电源电路示于图1中。在该电路中，光电二极管工作于光致电压（零偏置）方式。光电二极管上的入射光使之产生的电流ISC从负极流至正极，如图中所示。由于CMOS放大器反相输入端的输入阻抗非常高，二极管产生的电流将流过反馈电阻RF。输出电压会随着电阻RF两端的压降而变化。图中的放大系统将电流转换为电压，即VOUT=ISC×RF（1）图1单电源光电二极管检测电路

式（1）中，VOUT是运算放大器输出端的电压，单位为V;ISC是光电二极管产生的电流，单位为A;RF是放大器电路中的反馈电阻，单位为W。图1中的CRF是电阻RF的寄生电容和电路板的分布电容，且具有一个单极点为1/（2pRFCRF）。用SPICE可在一定频率范围内模拟从光到电压的转换关系。模拟中可选的变量是放大器的反馈元件RF。用这个模拟程序，激励信号源为ISC，输出端电压为VOUT。

此例中，RF的缺省值为1MW，CRF为0.5pF。理想的光电二极管模型包括一个二极管和理想的电流源。给出这些值后，传输函数中的极点等于1/（2pRFCRF），即318.3kHz。改变RF可在信号频响范围内改变极点。遗憾的是，如果不考虑稳定性和噪声等问题，这种简单的方案通常是注定要失败的。例如，系统的阶跃响应会产生一个其数量难以接受的振铃输出，更坏的情况是电路可能会产生振荡。如果解决了系统不稳定的问题，输出响应可能仍然会有足够大的“噪声”而得不到可靠的结果。实现一个稳定的光检测电路从理解电路的变量、分析整个传输函数和设计一个可靠的电路方案开始。设计时首先考虑的是为光电二极管响应选择合适的电阻。第二是分析稳定性。然后应评估系统的稳定性并分析输出噪声，根据每种应用的要求将之调节到适当的水平。这种电路中有三个设计变量需要考虑分析，它们是：光电二极管、放大器和R//C反馈网络。首先选择光电二极管，虽然它具有良好的光响应特性，但二极管的寄生电容将对电路的噪声增益和稳定性有极大的影响。另外，光电二极管的并联寄生电阻在很宽的温度范围内变化，会在温度极限时导致不稳定和噪声问题。为了保持良好的线性性能及较低的失调误差，运放应该具有一个较小的输入偏置电流（例如CMOS工艺）。此外，输入噪声电压、输入共模电容和差分电容也对系统的稳定性和整体精度产生不利的影响。最后，R//C反馈网络用于建立电路的增益。该网络也会对电路的稳定性和噪声性能产生影响。

2光检测电路的SPICE模型2.1光电二极管的SPICE模型一个光电二极管有两种工作方式：光致电压和光致电导，它们各有优缺点。在这两种方式中，光照射到二极管上产生的电流ISC方向与通常的正偏二极管正常工作时的方向相反，即从负极到正极。光电二极管的工作模型示于图2中，它由一个被辐射光激发的电流源、理想的二极管、结电容和寄生的串联及并联电阻组成。

图2非理想的光电二极管模型当光照射到光电二极管上时，电流便产生了，不同二极管在不同环境中产生的电流ISC、具有的CPD、RPD值以及图中放大器输出电压为0~5V所需的电阻RF值均不同，例如SD-020-12-001硅光电二极管，在正常直射阳光（1000fc［英尺-烛光］）时，ISC=30mA、CPD=50pF、RPD=1000MW、RF=167kW;睛朗白天（100fc）时，ISC=3mA、CPD=50pF、RPD=1000MW、RF=1.67MW;桌上室内光（1.167fc）时，ISC=35nA、CPD=50pF、RPD=1000MW、RF=142.9MW。可见光照不同时，ISC有显著变化，而CPD、RPD基本不变。工作于光致电压方式下的光电二极管上没有压降，即为零偏置。在这种方式中，为了光灵敏度及线性度，二极管被应用到最大限度，并适用于精密应用领域。影响电路性能的关键寄生元件为CPD和RPD，它们会影响光检测电路的频率稳定性和噪声性能。

结电容CPD是由光电二极管的P型和N型材料之间的耗尽层宽度产生的。耗尽层窄，结电容的值大。相反，较宽的耗尽层（如PIN光电二极管）会表现出较宽的频谱响应。硅二极管结电容的数值范围大约从20或25pF到几千pF以上。结电容对稳定性、带宽和噪声等性能产生的重要影响将在下面讨论。在光电二极管的数据手册中，寄生电阻RPD也称作“分流”电阻或“暗”电阻。该电阻与光电二极管零偏或正偏有关。在室温下，该电阻的典型值可超过100MW。对于大多数应用，该电阻的影响可被忽略。分流电阻RPD是主要的噪声源，这种噪声在图2中示为ePD。RPD产生的噪声称作散粒噪声（热噪声），是由于载流子热运动产生的。

二极管的第二个寄生电阻RS称为串联电阻，其典型值从10W到1000W。由于此电阻值很小，它仅对电路的频率响应有影响。光电二极管的漏电流IL是引发误差的第四个因素。如果放大器的失调电压为零，这种误差很小。与光致电压方式相反，光致电导方式中的光电二极管具有一个反向偏置电压加至光传感元件的两端。当此电压加至光检测器上时，耗尽层的宽度会增加，从而大幅度地减小寄生电容CPD的值。寄生电容值的减小有利于高速工作，然而，线性度和失调误差尚未最优化。这个问题的折衷设计将增加二极管的漏电流IL和线性误差。

二极管工作原理的介绍就聊到这里吧，感谢你花时间阅读本站内容，更多关于简述MOS管的工作原理、二极管工作原理的信息别忘了在本站进行查找哦。